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2024-07-10 12:40:39·[??中关村在线 原创??]·作者：薄荷糖的夏天
7月10日，三大半导体巨头（SK海力士、三星、美光）推动下，预计2025年高带宽内存（HBM）芯片的月总产能将达到54万颗，相较于2024年同比增长105%。高带宽内存是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合。
HBM是AI加速卡成本占比最高的零件之一。拆解英伟达H100芯片发现，物料成本约为3000美元（约合人民币21847元），其中SK海力士供应的HBM成本高达2000美元（约合人民币14565元），占比达到66%。
目前，SK海力士和美光仍然是主要的HBM供应商，并已向英伟达出货。三星目前正在逐步升级其在韩国平泽工厂的生产设施以满足DDR5和HBM产品的需求。同时，在华城工厂中，仅保留一小部分产能用于满足航空航天等特殊行业的需求。
为了满足日益增长的市场对高带宽内存产品的需求，各大厂商都在积极进行扩产计划。例如，SK海力士正在将M14生产线升级为1α/1β制程，并着手将M16生产线升级为1α/1β制程。另外，美光的HBM前端在日本广岛厂生产，预计今年第四季度产能将提升至2.5万颗；长期来看，该公司还将引入EUV制程，并建立全新无尘室。
总之，随着三大巨头纷纷扩大生产能力并投入更多资源开发更高性能的产品，高带宽内存市场的增长前景十分可观。
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